高功率半导体器件测试的要点、技巧和陷阱
| 网友 |
问题 |
日期 |
| 【问】13597405542 |
大功率半导体测试如何做击穿烧毁保护？ |
2012-08-15 10:35:00 |
| 【答】 |
ＰＰＴ中有相关的介绍。仪器保护有模块。待测体可加限流电阻。 |
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| 【问】zhangli019 |
设计中可以省掉对功率器件的保护吗？ |
2012-08-15 10:33:00 |
| 【答】 |
保护有两种，对器件的保护，和对仪表的保护；对器件的保护，看器件而设置LIMIT值；对仪表的保护，通过选择PM模块来实现 |
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| 【问】QZDZ |
保护模块除了高压保护外，还有哪些功能？ |
2012-08-15 10:33:00 |
| 【答】 |
主要是在半导体器件短路的时候，来保护低电压输出的仪器。 |
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| 【问】heitaoJ |
这些SMU是可以单独自己使用，还是需要一个类似有main frame的平台？ |
2012-08-15 10:32:00 |
| 【答】 |
可以单独使用，多台一起使用最好使用电脑远程控制。 |
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| 【问】anjiao |
测试MOS管特性的时候栅极的振荡可以通过加电容去抑制，请问电容是如何选择和使用的 |
2012-08-15 10:31:00 |
| 【答】 |
其实根据原理来说，是可以通过计算的到的，并上电容的震荡点要地域仪器本身工作频率。但实际测试过程中，建议可以用ＯＳＣ来监测。 |
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| 【问】heitaoJ |
DC模式最大电流能到多大？ |
2012-08-15 10:30:00 |
| 【答】 |
20A DC |
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| 【问】heitaoJ |
刚刚说2651-A 的电流最大100A是pulse模式吧？ |
2012-08-15 10:27:00 |
| 【答】 |
是的 |
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| 【问】yanglingling |
IGBT的辐射有那么厉害吗？ |
2012-08-15 10:26:00 |
| 【答】 |
要参考具体的器件。 |
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| 【问】ezcui |
高功率器件采用脉冲测试，就无需再采取任何散热措施了吧？ |
2012-08-15 10:24:00 |
| 【答】 |
这个问题暂时没有人回答呦！ |
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| 【问】fanw123 |
测量低电压、大电流时，对接线有什么要求？ |
2012-08-15 10:22:00 |
| 【答】 |
大电流请采用标配的接线或能够承受相应电流的接线。 |
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| 【问】mzlr |
大功率半导体测试如何防止击穿烧毁？ |
2012-08-15 10:22:00 |
| 【答】 |
所以要做好保护工作，对于ＫＥＩＴＨＬＥＹ来说，仪器本身有保护模块。另外仪器在测试过程中有ＬＩＭＩＴ保护的功能。 |
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| 【问】hanlinsong |
如何做好屏蔽？ |
2012-08-15 10:22:00 |
| 【答】 |
参ＰＰＴ的介绍，另外ＫＥＩＴＨＬＥＹ有一本小信号测试仪器的介绍手册可以参考。联系就近的办事处来获取。 |
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| 【问】whzaaaa |
这个测试仪器能测量动态特性吗？ |
2012-08-15 10:21:00 |
| 【答】 |
用FAST ＡＤＣ 的模式可以抓取某些动态特性。 |
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| 【问】ezcui |
高功率器件的测试首要须考虑散热吧？ |
2012-08-15 10:16:00 |
| 【答】 |
所以采用脉冲测试，这样可以最大限度的抑制器件发热的现象。 |
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| 【问】13135993711 |
高功率半导体怎么抑制辐射减少污染？ |
2012-08-15 10:16:00 |
| 【答】 |
做好相应的屏蔽和人员的防护 |
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