用4线法分析材料电阻率和测试结构
| 网友 |
问题 |
日期 |
| 【问】zjjsqyg |
能对电源模块做浪涌电压模拟测试吗 |
2012-06-27 10:52:19 |
| 【答】 |
可以的 |
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| 【问】nxp40064 |
请问你们有高功率脉冲源吗?是什么型号? |
2012-06-27 10:50:20 |
| 【答】 |
我们的源表在电压输出时，可以做出脉冲源，所对应的型号需要根据您的应用需求进行配置。请与当地的销售办公室联系并提出您的测试需求 |
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| 【问】zjjsqyg |
器件测试的主要目的？数据表不是都有吗？难道要核对数据曲线的准确？ |
2012-06-27 10:48:45 |
| 【答】 |
数据表确实是器件测试的目标，在器件的研发生产阶段，我们使用keithley的源表系列对分立器件的特性也就是您所说的数据表进行测量，这样客户在使用市场上推出的分立器件的时候，才有datasheet的特性数据可以使用。 |
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| 【问】chenjun5582 |
大功率MOSFET器件是否易击， |
2012-06-27 10:48:14 |
| 【答】 |
这个问题暂时没有人回答呦！ |
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| 【问】geting |
谢谢老师精彩讲解，之前提到了垂直和水平放置的半导体在耐压等级上不同，具体原因是什么？ |
2012-06-27 10:47:26 |
| 【答】 |
这个问题暂时没有人回答呦！ |
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| 【问】lixinliang |
清静了，如果我要测试IGBT工作时两端的电压，后端感性负载，两端电压大约3KV，有什么推荐方案？ |
2012-06-27 10:46:58 |
| 【答】 |
您好，您的需求不是很明确，请问是在板级上测试吗？请联系keithley800-810-1334的电话进行详细咨询。谢谢 |
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| 【问】wlq47 |
最好能提供资料下载，SIC的压降多大？ |
2012-06-27 10:46:32 |
| 【答】 |
这个问题暂时没有人回答呦！ |
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| 【问】lynn9928 |
我还想问一下高功率半导体器件一般用什么仪器测试 及注意事项主要参数有哪些呢？ |
2012-06-27 10:45:38 |
| 【答】 |
一般都会使用源表设备进行测试，需要注意的首先是安全问题，确保仪器可靠接地，确保操作人员安全；其次是测试可靠性问题，选择高精度测试产品。测试参数依据不同测试对象有所不同。 |
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| 【问】geting |
之前提到了垂直和水平放置的半导体在耐压等级上不同，具体原因是什么？ |
2012-06-27 10:45:00 |
| 【答】 |
RdsOn指的是Drain和Source之间的电阻，对于水平半导体，Drain和Source在同一端，因此尺寸受限；而对于垂直半导体，Drain在晶圆底层，Source在顶层，晶圆尺寸远远大于半导体，因此可以承受更高的击穿电压 |
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| 【问】liuqiong1988 |
与其他传统测试相比有什么优势？ |
2012-06-27 10:44:26 |
| 【答】 |
传统的测试高压源，电流源，与测试设备都是分立的，需要去协调多个设备之间的数据通信问题。吉时利提供的源表解决方案，4表合一，很好的将源和测试表组合在一台仪器中，保证较高测试精度的同时，还提供了易于使用的软件，使用方便。 |
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| 【问】zjjsqyg |
有没有军用机载浪涌电压测试仪？80V |
2012-06-27 10:44:05 |
| 【答】 |
这个问题暂时没有人回答呦！ |
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| 【问】winthony |
这么高的分辨率是因为电阻可以做的很大或者很小么？ |
2012-06-27 10:43:04 |
| 【答】 |
测试仪器很高的分辨率通常代表仪器内部的A/D转换的Bit数很高。 |
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| 【问】在水一方 |
请问：怎样温度补偿会使高功率管工作在最佳的状态? 高功率是不是意味着高功耗？ |
2012-06-27 10:42:49 |
| 【答】 |
这个问题暂时没有人回答呦！ |
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| 【问】晴朗雨 |
高功率半导体器件如何进行测试，他们主要的参数指标都有哪些? |
2012-06-27 10:42:40 |
| 【答】 |
根据不同的被测器件测试参数及要求会有不同，比如，对于MOSFET，常见测试参数为击穿电压，门端电荷，导通电阻等等，对于IGBT，常见测试参数有：击穿电压，反向漏电流，正向导通电压等 |
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| 【问】Aurorachen |
半导体应该是怎么定义的，什么样的材料可以作为半导体，氧化铜也可以作为半导体么？ |
2012-06-27 10:42:14 |
| 【答】 |
电阻率介于金属和绝缘体之间并有负的电阻温度系数的物质称为半导体 |
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