MXIC旺宏Flash在网通和STB上的应用
| 网友 |
问题 |
日期 |
| 【问】我的牛牛 |
读取速度呢？ |
2013-10-24 10:50:42 |
| 【答】 |
SLC nand flash速度可以达20M/S以上 |
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| 【问】philoman |
-40度以下低温特性如何？ |
2013-10-24 10:50:14 |
| 【答】 |
超低温下，半导体器件的活性降低，会导致，写“1”不成功，或者放电不彻底，造成里面的数据，非0非1，出现误码。厂家只保证-40，一般预留20%的余量，但不负责。 |
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| 【问】philoman |
-40度以下低温特性如何？ |
2013-10-24 10:50:14 |
| 【答】 |
超低温下，半导体器件的活性降低，会导致，写“1”不成功，或者放电不彻底，造成里面的数据，非0非1，出现误码。厂家只保证-40，一般预留20%的余量，但不负责。 |
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| 【问】mengyun2801 |
汽车级有吗？ |
2013-10-24 10:49:49 |
| 【答】 |
-40至105度，旺宏的产品基本都达到此等级，但为了保险，会在出厂前做甄选，价格会高不少。Nand和Nor都有。 |
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| 【问】mengyun2801 |
汽车级有吗？ |
2013-10-24 10:49:49 |
| 【答】 |
-40至105度，旺宏的产品基本都达到此等级，但为了保险，会在出厂前做甄选，价格会高不少。Nand和Nor都有。 |
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| 【问】caokang |
工藝是nm越小越好嗎？ |
2013-10-24 10:49:33 |
| 【答】 |
nm小工艺，原则上可以减少Die的大小，降低成本。但由于受物理极限限制，目前最小的MLC nandflash是19nm。但制程太小，ECC校验位就需要多，稳定性就不好了。所以要在成本和稳定性上做平衡。 |
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| 【问】caokang |
工藝是nm越小越好嗎？ |
2013-10-24 10:49:33 |
| 【答】 |
不是，只是工艺越小能做的容量会越大，COST会下降一些 |
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| 【问】caokang |
工藝是nm越小越好嗎？ |
2013-10-24 10:49:33 |
| 【答】 |
nm小工艺，原则上可以减少Die的大小，降低成本。但由于受物理极限限制，目前最小的MLC nandflash是19nm。但制程太小，ECC校验位就需要多，稳定性就不好了。所以要在成本和稳定性上做平衡。 |
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| 【问】caokang |
工藝是nm越小越好嗎？ |
2013-10-24 10:49:33 |
| 【答】 |
不是，只是工艺越小能做的容量会越大，COST会下降一些 |
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| 【问】oil99881 |
ECC是必选功能么？ |
2013-10-24 10:49:13 |
| 【答】 |
对Nandflash，必须要的。不同厂家，不同规格的Nand，需要1位，4位，8位等不一样的校验位数。现在的TLC Nand,甚至需要100bit 的ECC校验。 |
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| 【问】oil99881 |
ECC是必选功能么？ |
2013-10-24 10:49:13 |
| 【答】 |
对Nandflash，必须要的。不同厂家，不同规格的Nand，需要1位，4位，8位等不一样的校验位数。现在的TLC Nand,甚至需要100bit 的ECC校验。 |
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| 【问】binbin9261 |
擦写寿命多少? |
2013-10-24 10:48:08 |
| 【答】 |
SLC flash擦写都在10W次以上 |
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| 【问】binbin9261 |
擦写寿命多少? |
2013-10-24 10:48:08 |
| 【答】 |
SLC flash擦写都在10W次以上 |
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| 【问】witin |
读的时候有误码,是什么存储单元的数据变了吗?读出错0和1产生的机率是一样的吗? |
2013-10-24 10:47:31 |
| 【答】 |
是， 机率是不一样 |
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| 【问】witin |
读的时候有误码,是什么存储单元的数据变了吗?读出错0和1产生的机率是一样的吗? |
2013-10-24 10:47:31 |
| 【答】 |
是， 机率是不一样 |
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