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高功率半导体器件测试的基础
网友 问题 日期
【问】geting 一般高功率半导体器件在极低温度下(100K以下)能正常工作吗,吉时利公司仪表能够准确测试吗? 2012-06-27 10:52:21
【答】 仪器测试是没问题的
【问】zjjsqyg 能对电源模块做浪涌电压模拟测试吗 2012-06-27 10:52:19
【答】 可以的
【问】nxp40064 请问你们有高功率脉冲源吗?是什么型号? 2012-06-27 10:50:20
【答】 我们的源表在电压输出时,可以做出脉冲源,所对应的型号需要根据您的应用需求进行配置。请与当地的销售办公室联系并提出您的测试需求
【问】zjjsqyg 器件测试的主要目的?数据表不是都有吗?难道要核对数据曲线的准确? 2012-06-27 10:48:45
【答】 数据表确实是器件测试的目标,在器件的研发生产阶段,我们使用keithley的源表系列对分立器件的特性也就是您所说的数据表进行测量,这样客户在使用市场上推出的分立器件的时候,才有datasheet的特性数据可以使用。
【问】chenjun5582 大功率MOSFET器件是否易击, 2012-06-27 10:48:14
【答】 这个问题暂时没有人回答呦!
【问】geting 谢谢老师精彩讲解,之前提到了垂直和水平放置的半导体在耐压等级上不同,具体原因是什么? 2012-06-27 10:47:26
【答】 这个问题暂时没有人回答呦!
【问】lixinliang 清静了,如果我要测试IGBT工作时两端的电压,后端感性负载,两端电压大约3KV,有什么推荐方案? 2012-06-27 10:46:58
【答】 您好,您的需求不是很明确,请问是在板级上测试吗?请联系keithley800-810-1334的电话进行详细咨询。谢谢
【问】wlq47 最好能提供资料下载,SIC的压降多大? 2012-06-27 10:46:32
【答】 这个问题暂时没有人回答呦!
【问】lynn9928 我还想问一下高功率半导体器件一般用什么仪器测试 及注意事项主要参数有哪些呢? 2012-06-27 10:45:38
【答】 一般都会使用源表设备进行测试,需要注意的首先是安全问题,确保仪器可靠接地,确保操作人员安全;其次是测试可靠性问题,选择高精度测试产品。测试参数依据不同测试对象有所不同。
【问】geting 之前提到了垂直和水平放置的半导体在耐压等级上不同,具体原因是什么? 2012-06-27 10:45:00
【答】 RdsOn指的是Drain和Source之间的电阻,对于水平半导体,Drain和Source在同一端,因此尺寸受限;而对于垂直半导体,Drain在晶圆底层,Source在顶层,晶圆尺寸远远大于半导体,因此可以承受更高的击穿电压
【问】liuqiong1988 与其他传统测试相比有什么优势? 2012-06-27 10:44:26
【答】 传统的测试高压源,电流源,与测试设备都是分立的,需要去协调多个设备之间的数据通信问题。吉时利提供的源表解决方案,4表合一,很好的将源和测试表组合在一台仪器中,保证较高测试精度的同时,还提供了易于使用的软件,使用方便。
【问】zjjsqyg 有没有军用机载浪涌电压测试仪?80V 2012-06-27 10:44:05
【答】 这个问题暂时没有人回答呦!
【问】winthony 这么高的分辨率是因为电阻可以做的很大或者很小么? 2012-06-27 10:43:04
【答】 测试仪器很高的分辨率通常代表仪器内部的A/D转换的Bit数很高。
【问】在水一方 请问:怎样温度补偿会使高功率管工作在最佳的状态? 高功率是不是意味着高功耗? 2012-06-27 10:42:49
【答】 这个问题暂时没有人回答呦!
【问】晴朗雨 高功率半导体器件如何进行测试,他们主要的参数指标都有哪些? 2012-06-27 10:42:40
【答】 根据不同的被测器件测试参数及要求会有不同,比如,对于MOSFET,常见测试参数为击穿电压,门端电荷,导通电阻等等,对于IGBT,常见测试参数有:击穿电压,反向漏电流,正向导通电压等