非易失存储器-特性分析与测量技术
| 网友 |
问题 |
日期 |
| 【问】tarzanfun |
当RAM用它干嘛。。。有更好更可靠的不用？ |
2011-12-08 11:57:00 |
| 【答】 |
这个问题暂时没有人回答呦！ |
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| 【问】123706153 |
100万亿次，那只能当一般存储器用，不能当RAM用。当RAM用用不到两年。 |
2011-12-08 11:56:00 |
| 【答】 |
这个问题暂时没有人回答呦！ |
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| 【问】qin552011373 |
让我明白了测试的方法和原理 |
2011-12-08 11:52:00 |
| 【答】 |
这个问题暂时没有人回答呦！ |
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| 【问】ezcui |
非易失存储器（NVM）有无致命弱点或应用瓶颈呢？ |
2011-12-08 11:51:00 |
| 【答】 |
这个问题暂时没有人回答呦！ |
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| 【问】ezcui |
哪一类非易失存储器（NVM）更适合、更便利普及应用呢？ |
2011-12-08 11:48:00 |
| 【答】 |
这个问题暂时没有人回答呦！ |
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| 【问】D杜19 |
非易失性存储器的只要应用场合是 |
2011-12-08 11:37:00 |
| 【答】 |
这个问题暂时没有人回答呦！ |
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| 【问】kason521 |
英文的比较准确些，一般中文的在翻译过程中会避免不了误差的。 |
2011-12-08 11:36:00 |
| 【答】 |
是的 |
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| 【问】wangfuchong |
TI公司在铁电产品上的知名度怎样？有哪几家公司在铁电产品上？ |
2011-12-08 11:35:00 |
| 【答】 |
铁电技术理论提出较早，但实际成为产品的时间却是在上个实际90年代，目前非常多的FeRAM的产品都是由美国Ramtron国际公司制造或是授权，建议可以参考这家公司的产品参数性能。 |
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| 【问】wangfuchong |
谢谢回复，我不是对专家您的 数据的质疑，我是想要是能测一下TI的数据，也可以作为我们对TI的产品的一个参考呀 |
2011-12-08 11:34:00 |
| 【答】 |
这个问题暂时没有人回答呦！ |
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| 【问】redpingpang |
FeRAM读写次数一百亿次后，能通过其他方式恢复么？转换为易失是指什么情况下数据容易丢失？ |
2011-12-08 11:28:00 |
| 【答】 |
这个过程是不可逆的，转为易失性存储器的意思是，掉电之后即会丢掉数据。 |
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| 【问】wangfuchong |
那么TI的也可以用这种方法测试么？什么时候专家测一个结果给我们看看呀，TI的CPU，已经对外卖了 |
2011-12-08 11:28:00 |
| 【答】 |
技术都是在不断发展的，如果TI可以在原有基础上作出硬件的变更，那么延长其寿命也是有可能，不过需要测试之后得到具体的结果。目前大多数的FeRAM寿命都是在一百亿次的读写左右。 |
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| 【问】xiongchu1 |
呵呵 挺复杂的计算过程 |
2011-12-08 11:28:00 |
| 【答】 |
这个问题暂时没有人回答呦！ |
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| 【问】ezcui |
非易失存储器（NVM）的EMC性能如何？能有效抗防静电吗？ |
2011-12-08 11:24:00 |
| 【答】 |
这个问题暂时没有人回答呦！ |
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| 【问】kason521 |
在三星的一个NVD 在Valid Block栏中标示有min1004 MAX为1024这个指的是什么？ |
2011-12-08 11:24:00 |
| 【答】 |
这个问题暂时没有人回答呦！ |
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| 【问】zay1880 |
一百亿次，那它是怎么测试的？ |
2011-12-08 11:24:00 |
| 【答】 |
一个简单方法的原理是利用讲座中的PUND，打出同样的波形，测出电流，并分别对电流值做积分，按照公式算出Psw 与Qsw的数值，并且在迭代法中观察Psw与Qsw的变化情况，最后用最小二乘法得到最终的推估寿命。 |
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