高功率半导体器件测试的要点、技巧和陷阱
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问题 |
日期 |
【问】13597405542 |
通过击穿气体达到瞬间的大功率控制的噪音有多大? |
2012-08-15 10:16:00 |
【答】 |
这个问题暂时没有人回答呦! |
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【问】fwfwjx |
像我们应用IGBT的工程师,主要可以提供些什么帮助? |
2012-08-15 10:14:00 |
【答】 |
参考PPT,对IGBT提供如何进行大功率测试和大功率测试过程中需要注意的问题。 |
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【问】whzaaaa |
能提供一个实用的大电流小电压测量电路吗? |
2012-08-15 10:12:00 |
【答】 |
这个主要根据具体测量器件的规格。 |
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【问】flowerping2012 |
测试中需要注意那些问题? |
2012-08-15 10:10:00 |
【答】 |
主要参数的设定和安全性 |
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【问】sheldon685 |
能不能简单介绍一下半导体测试机? |
2012-08-15 10:10:00 |
【答】 |
keithley有多种源表,2600系列和2400系列,还是4200的半导体参数分析仪 |
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【问】flowerping2012 |
吉时利高功率数字源表有那些新功能? |
2012-08-15 10:10:00 |
【答】 |
高功率源表分两类,高电压和高电流,高电压可以达3000V |
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【问】flowerping2012 |
对高功率的mos管怎样抑制其自激?怎样测试其功耗? |
2012-08-15 10:10:00 |
【答】 |
自激现象很难避免,只是在测试过程中,我们如何将自激现象降到最小,要适当的延时。 |
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【问】flowerping2012 |
高功率器件的测试要点有那些? |
2012-08-15 10:09:00 |
【答】 |
一般是大电流和大电压输出。首先要注意安全测试。另外对大电流测试,引线的压降需要考虑,如果引入脉冲测试,则电流过大,引线本身会产生延时,导致脉冲输出并非我们所想要的。对与高压这一块。安全第一位。小电流测试的准确度需要考虑漏流等。 |
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【问】zhangjsh |
所谓脉冲给定的脉宽时间如何设定?有何设定原则?谢谢!! |
2012-08-15 10:09:00 |
【答】 |
一般待测试的半导体器件有自己的规格指标。 |
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【问】wl419 |
一般常用快速反应的半导体速率? |
2012-08-15 10:06:00 |
【答】 |
一般来说,比较高的是纳秒量级别,通常是微秒级别。 |
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【问】ezcui |
测试“陷阱”具体是何概念? |
2012-08-15 10:04:00 |
【答】 |
这个问题暂时没有人回答呦! |
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【问】sheldon685 |
KEITHLEY现在属于泰克了吧? |
2012-08-15 09:56:00 |
【答】 |
yes |
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【问】yangalex |
是单独测试器件还是在板或在系统测试? |
2012-08-15 09:39:44 |
【答】 |
这个问题暂时没有人回答呦! |
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【问】13135993711 |
高功率半导体器件快速开关怎么样有效的抵抗干扰? |
2012-08-15 09:28:58 |
【答】 |
这个问题暂时没有人回答呦! |
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【问】scnunique |
有对IV,CV曲线的分析吗? |
2012-08-15 09:12:16 |
【答】 |
这个问题暂时没有人回答呦! |
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