高功率半导体器件测试的基础
| 网友 |
问题 |
日期 |
| 【问】geting |
一般高功率半导体器件在极低温度下（100K以下）能正常工作吗，吉时利公司仪表能够准确测试吗？ |
2012-06-27 10:52:21 |
| 【答】 |
仪器测试是没问题的 |
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| 【问】zjjsqyg |
能对电源模块做浪涌电压模拟测试吗 |
2012-06-27 10:52:19 |
| 【答】 |
可以的 |
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| 【问】nxp40064 |
请问你们有高功率脉冲源吗?是什么型号? |
2012-06-27 10:50:20 |
| 【答】 |
我们的源表在电压输出时，可以做出脉冲源，所对应的型号需要根据您的应用需求进行配置。请与当地的销售办公室联系并提出您的测试需求 |
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| 【问】zjjsqyg |
器件测试的主要目的？数据表不是都有吗？难道要核对数据曲线的准确？ |
2012-06-27 10:48:45 |
| 【答】 |
数据表确实是器件测试的目标，在器件的研发生产阶段，我们使用keithley的源表系列对分立器件的特性也就是您所说的数据表进行测量，这样客户在使用市场上推出的分立器件的时候，才有datasheet的特性数据可以使用。 |
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| 【问】chenjun5582 |
大功率MOSFET器件是否易击， |
2012-06-27 10:48:14 |
| 【答】 |
这个问题暂时没有人回答呦！ |
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| 【问】geting |
谢谢老师精彩讲解，之前提到了垂直和水平放置的半导体在耐压等级上不同，具体原因是什么？ |
2012-06-27 10:47:26 |
| 【答】 |
这个问题暂时没有人回答呦！ |
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| 【问】lixinliang |
清静了，如果我要测试IGBT工作时两端的电压，后端感性负载，两端电压大约3KV，有什么推荐方案？ |
2012-06-27 10:46:58 |
| 【答】 |
您好，您的需求不是很明确，请问是在板级上测试吗？请联系keithley800-810-1334的电话进行详细咨询。谢谢 |
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| 【问】wlq47 |
最好能提供资料下载，SIC的压降多大？ |
2012-06-27 10:46:32 |
| 【答】 |
这个问题暂时没有人回答呦！ |
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| 【问】lynn9928 |
我还想问一下高功率半导体器件一般用什么仪器测试 及注意事项主要参数有哪些呢？ |
2012-06-27 10:45:38 |
| 【答】 |
一般都会使用源表设备进行测试，需要注意的首先是安全问题，确保仪器可靠接地，确保操作人员安全；其次是测试可靠性问题，选择高精度测试产品。测试参数依据不同测试对象有所不同。 |
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| 【问】geting |
之前提到了垂直和水平放置的半导体在耐压等级上不同，具体原因是什么？ |
2012-06-27 10:45:00 |
| 【答】 |
RdsOn指的是Drain和Source之间的电阻，对于水平半导体，Drain和Source在同一端，因此尺寸受限；而对于垂直半导体，Drain在晶圆底层，Source在顶层，晶圆尺寸远远大于半导体，因此可以承受更高的击穿电压 |
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| 【问】liuqiong1988 |
与其他传统测试相比有什么优势？ |
2012-06-27 10:44:26 |
| 【答】 |
传统的测试高压源，电流源，与测试设备都是分立的，需要去协调多个设备之间的数据通信问题。吉时利提供的源表解决方案，4表合一，很好的将源和测试表组合在一台仪器中，保证较高测试精度的同时，还提供了易于使用的软件，使用方便。 |
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| 【问】zjjsqyg |
有没有军用机载浪涌电压测试仪？80V |
2012-06-27 10:44:05 |
| 【答】 |
这个问题暂时没有人回答呦！ |
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| 【问】winthony |
这么高的分辨率是因为电阻可以做的很大或者很小么？ |
2012-06-27 10:43:04 |
| 【答】 |
测试仪器很高的分辨率通常代表仪器内部的A/D转换的Bit数很高。 |
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| 【问】在水一方 |
请问：怎样温度补偿会使高功率管工作在最佳的状态? 高功率是不是意味着高功耗？ |
2012-06-27 10:42:49 |
| 【答】 |
这个问题暂时没有人回答呦！ |
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| 【问】晴朗雨 |
高功率半导体器件如何进行测试，他们主要的参数指标都有哪些? |
2012-06-27 10:42:40 |
| 【答】 |
根据不同的被测器件测试参数及要求会有不同，比如，对于MOSFET，常见测试参数为击穿电压，门端电荷，导通电阻等等，对于IGBT，常见测试参数有：击穿电压，反向漏电流，正向导通电压等 |
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