COMSOL 多物理场仿真在半导体制造中的应用
时间：2024年03月21日 10:00
简介： 随着半导体器件尺寸不断缩小、集成度越来越高，对半导体制造的要求逐渐提升。半导体的制造过程包含大量复杂工艺，会涉及不同种类的物理和化学现象，例如晶圆加工过程中的离子注入、氧化、刻蚀、光刻等工艺，以及芯片封装过程中的固化、电镀等工艺。工程人员不仅需要确保半导体制造工艺的精度，还需要确保加工的稳定性。多物理场仿真可以对不同工艺进行模拟和优化，帮助工程人员深入理解制造工艺中涉及的多种物理和化学过程，预测和...
使用多物理场仿真优化半导体器件性能
时间：2021年06月22日 10:00
简介： 伴随着微电子技术的发展，半导体工艺水平及器件性能不断提升。然而工程人员为了获取性能更高的半导体器件，在设计过程中面临着各种挑战。借助计算机仿真技术，设计人员可以根据工艺过程预测半导体器件的不同特性，例如开启电压，I-V特性，开关特性等，还可以预测半导体器件在不同工况下性能的变化。 本次活动将介绍 COMSOL 多物理场仿真软件在半导体器件设计中的应用，包括PN结，MOSFET 等各类半导体器...
USB3.0端到端物理层测试技术研讨会
时间：2010年04月08日 10:00
简介： SuperSpeed USB，即USB3.0，是下一代的USB接口标准，速度由USB2.0的480Mbps提升到了5Gbps，以满足当前与未来高清视频和动辄GByte的数据传输的需求，在2008年11月，HP、Intel、微软、NEC、ST-NXP、TI联合起来正式发布了USB3.0的V1.0规范。美国力科作为串行数据分析仪器的领导者，于2009年4月发布了USB3.0的物理层测试的完整解决方案，...
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