非易失存储器-特性分析与测量技术
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问题 |
日期 |
【问】bbanianj |
eeprom是不是也算非易失存储器,也在该仪器检测范畴? |
2011-12-08 10:33:00 |
【答】 |
目前4200的软件测试环境中,并没有eeprom的测试项 |
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【问】dongguanze |
请教,现在市场上针对这方面的测量应用的设备都有哪些品牌啊? |
2011-12-08 10:32:00 |
【答】 |
这个问题暂时没有人回答呦! |
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【问】zhangjsh |
铁电存储器的理论寿命很长,但失效前是否可以进行预防性的检测和实验报告? |
2011-12-08 10:32:00 |
【答】 |
可以在经过一段时间使用之后,通过PUND方法计算出Psw和Qsw这两个参数值进行大致推估 |
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【问】skydiamond |
铁电存储器数据保密特点如何? |
2011-12-08 10:31:00 |
【答】 |
这个问题暂时没有人回答呦! |
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【问】xqh518 |
不同存储器件的存储、插除电流是不一样的,请问:测量这些存储器件的工作电流时,所用的时间是不是一样的? |
2011-12-08 10:30:00 |
【答】 |
这个问题暂时没有人回答呦! |
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【问】ezcui |
请教老师:鐵電存儲器的致命弱点在哪? |
2011-12-08 10:28:00 |
【答】 |
这个问题暂时没有人回答呦! |
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【问】caokang |
那鐵電存儲器的壽命能達到多少? |
2011-12-08 10:27:00 |
【答】 |
通常来说,在一些情况下,铁电存储器在读写超过100亿次左右的时候,会变成易失性存储器。 |
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【问】ezcui |
非易失存储器(NVM)并非“不失”,请教专家:所谓“非易失”的具体界限有无规范? |
2011-12-08 10:26:00 |
【答】 |
这个问题暂时没有人回答呦! |
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【问】唐朝11鬼 |
铁电存储器会发生疲劳失效等可靠性问题? |
2011-12-08 10:26:00 |
【答】 |
这个问题暂时没有人回答呦! |
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【问】markguo |
刚做的一个项目,nandflash就检测不到 |
2011-12-08 10:25:00 |
【答】 |
这个问题暂时没有人回答呦! |
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【问】静默 |
演講稿講的這些是新興存儲器?? |
2011-12-08 10:25:00 |
【答】 |
基本上讲座主要集中在flash, PRAM以及FeRAM |
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【问】cccfeb |
用过NAND和NOR,这次演讲会又让我回到以前做非易失存储器应用。 |
2011-12-08 10:24:00 |
【答】 |
这个问题暂时没有人回答呦! |
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【问】caokang |
鐵電存儲器有哪些優點和缺點? |
2011-12-08 10:23:00 |
【答】 |
他的存取速度会非常快,但是因为FeRAM会进行破坏性的读出,所以FeRAM在信息读取过程中伴随着大量的擦除/重写的操作。而随着不断地极化反转,此类FeRAM会发生疲劳失效等可靠性问 |
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【问】jjkwz |
非易失性存储器的具体概念是什么样子的啊 |
2011-12-08 10:23:00 |
【答】 |
这个问题暂时没有人回答呦! |
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【问】sy2006lx |
NVM集体应用在什么方面? |
2011-12-08 10:20:00 |
【答】 |
只要断电之后不会丢失数据的领域,那么基本上都可以应用 |
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