非易失存储器-特性分析与测量技术
| 网友 |
问题 |
日期 |
| 【问】kason521 |
那和Nand Flash Nor Flash和EEPROM有多少的区别的，我在设计中用这些比较多些！ |
2011-12-08 10:36:00 |
| 【答】 |
这个问题暂时没有人回答呦！ |
|
| 【问】licheng_8 |
非易失存储器刷新频率多高？ |
2011-12-08 10:36:00 |
| 【答】 |
这个问题暂时没有人回答呦！ |
|
| 【问】云帆123 |
非易失性存储器的最大存储空间能做到多大呢？ |
2011-12-08 10:36:00 |
| 【答】 |
这个问题暂时没有人回答呦！ |
|
| 【问】caokang |
EEPROM屬於NVM嗎 |
2011-12-08 10:35:00 |
| 【答】 |
是的 |
|
| 【问】kjcom10 |
存储器我们平时主要是使用，去测量它的时候确实很少,主要是安全性是第一的？ |
2011-12-08 10:35:00 |
| 【答】 |
这个问题暂时没有人回答呦！ |
|
| 【问】lingdangstar |
RPM的阈值电压一般为多少，达到多少算失效？ |
2011-12-08 10:35:00 |
| 【答】 |
rpm是与4200PMU单元相配合的多功能矩阵开关器。 |
|
| 【问】lxdml |
为什么掉电了，非易失性存储器的存储状态还可以保存下来？？ |
2011-12-08 10:35:00 |
| 【答】 |
这个问题暂时没有人回答呦！ |
|
| 【问】tian6822255 |
我们是用这些存储器设计电路，以前没怎么考虑对存储器本身的测试，只知道大概怎么选 |
2011-12-08 10:35:00 |
| 【答】 |
这个问题暂时没有人回答呦！ |
|
| 【问】wangtong304 |
存储空间多大? |
2011-12-08 10:35:00 |
| 【答】 |
这个问题暂时没有人回答呦！ |
|
| 【问】wl422625045 |
feRAM 实际应用在哪些场合呢？ |
2011-12-08 10:35:00 |
| 【答】 |
这个问题暂时没有人回答呦！ |
|
| 【问】xinmiaomiao |
感觉这个跟单片机上的EEProm一个功能 |
2011-12-08 10:35:00 |
| 【答】 |
FeRAM在多数情况下，可以作为E2PROM的第二种选择，它除了E2PROM的性能外，访问速度要快得多。但是决定使用FRAM之前，必须确定系统中一旦超出对FRAM的100亿次访问之后绝对不会有问题。 |
|
| 【问】bbanianj |
MCU内的Flash也能进行分析测试吗？还不清楚一个器件怎么利用该仪器进行连接测试，不同的器件引脚不一样，读写时序也不一样，如何操作呢？谢谢。 |
2011-12-08 10:34:00 |
| 【答】 |
这需要能够有探针与电极直接相连，如果硬件连接可以解决，且测试环境优良，确保没有任何非正常回路（例如会产生漏电等），那么是可以测量的 |
|
| 【问】cui_lz |
老师讲的这三种非易失存贮器主要使用在那些嵌入式产品上？ |
2011-12-08 10:34:00 |
| 【答】 |
这个问题暂时没有人回答呦！ |
|
| 【问】lxdml |
非易失性存储器发展最好的方向是何方啊？ |
2011-12-08 10:34:00 |
| 【答】 |
这个问题暂时没有人回答呦！ |
|
| 【问】wenyangzeng |
铁电存储器的存取速度比DRAM存储器的速度那个快？ |
2011-12-08 10:34:00 |
| 【答】 |
这个问题暂时没有人回答呦！ |
|
