非易失存储器-特性分析与测量技术
| 网友 |
问题 |
日期 |
| 【问】lucky冀工 |
NAND与Inand那个比较好呢？ |
2011-12-08 10:50:00 |
| 【答】 |
这个问题暂时没有人回答呦！ |
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| 【问】lucky冀工 |
铁电技术性能怎么样？ |
2011-12-08 10:49:00 |
| 【答】 |
这个问题暂时没有人回答呦！ |
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| 【问】quwenting |
已经可以应用了吗，还是还在研究？ |
2011-12-08 10:48:00 |
| 【答】 |
这个问题暂时没有人回答呦！ |
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| 【问】zengmouzm |
非易失性存储器比flash快多少啊 |
2011-12-08 10:48:00 |
| 【答】 |
这个问题暂时没有人回答呦！ |
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| 【问】以亦 |
选择这种测量设备，最应该关注设备的哪些参数呢？ 从而可以选出最高性价比的测量设备！ |
2011-12-08 10:48:00 |
| 【答】 |
这个问题暂时没有人回答呦！ |
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| 【问】jobs |
工程师 好。我想问一下，这个存储器在实际使用时，代码与使用EEPROM改动大吗？涉及升级成本嘛 |
2011-12-08 10:47:00 |
| 【答】 |
我们主要是对存储器本身做测试，应用升级所产生的费用应该是因人而异。 |
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| 【问】snowchang |
E2与铁的性价比 |
2011-12-08 10:47:00 |
| 【答】 |
主要是看您在使用读写次数上的取舍。 |
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| 【问】wangfuchong |
trillion什么意思？我看到铁电的是万亿次寿命呀 |
2011-12-08 10:47:00 |
| 【答】 |
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| 【问】wenyangzeng |
铁电存储器适合3V以下低电压供电吗？ |
2011-12-08 10:47:00 |
| 【答】 |
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| 【问】caokang |
flash, PRAM以及FeRAM，目前那種技術最成熟？那個性能更好呢？ |
2011-12-08 10:46:00 |
| 【答】 |
这需要看使用者的根据具体实际情况进行判断。以FeRAM为例，因为FeRAM保持数据不需要电压，也不需要像DRAM一样周期性刷新。更重要的是，由于铁电效应是铁电晶体所固有的一种偏振极化特性，与电磁作用无关，所以FRAM存储器的内容不会受到外界条件，诸如磁场因素的影响，所以，使用环境对于产品的选择至关重要。 |
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| 【问】QZDZ |
吉时利经常举行测量技术的研讨会非常好，让工程师们更好的选用、使用测试设备有了更清晰的理解。 |
2011-12-08 10:46:00 |
| 【答】 |
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| 【问】tarzanfun |
哦。。EEPROM属于NVM啊，但是容量是不是还是没有什么突破？如果要设计高数据密度的设备是不是还是首选NAND？ |
2011-12-08 10:45:00 |
| 【答】 |
可以的 |
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| 【问】ggimm |
发生故障是不是静态电流不一样啊？ |
2011-12-08 10:44:00 |
| 【答】 |
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| 【问】moonzm871126 |
单片机知识还是用的比较多的 |
2011-12-08 10:44:00 |
| 【答】 |
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| 【问】redpingpang |
铁电存储器的存储空间多大？ |
2011-12-08 10:44:00 |
| 【答】 |
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