非易失存储器-特性分析与测量技术
| 网友 |
问题 |
日期 |
| 【问】muyulchy |
100万亿次 那不是相当是永久的吗 谁能用那么久呀 |
2011-12-08 11:21:00 |
| 【答】 |
这个问题暂时没有人回答呦！ |
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| 【问】wangfuchong |
是呀，100万亿次，新推出不久的一种MSP430CPU |
2011-12-08 11:19:00 |
| 【答】 |
这个问题暂时没有人回答呦！ |
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| 【问】licheng_8 |
FeRAM读写次数一百亿次即可判定失效吗？ |
2011-12-08 11:18:00 |
| 【答】 |
他会在擦写100亿次之后，转变成类似易失性存储器，不会完全失效 |
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| 【问】caokang |
100trillion次，100万亿次吧 |
2011-12-08 11:17:00 |
| 【答】 |
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| 【问】penguin008 |
铁电存储器在价格上与传统EEPROM有多大差别？ |
2011-12-08 11:16:00 |
| 【答】 |
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| 【问】dongguanze |
现在很多DISK性能检测软件也能对NVM进行检测，和仪器设备的测试相比，有什么异同？ |
2011-12-08 11:14:00 |
| 【答】 |
是要看他们的脉冲发生器是否可以跟 Keithley4200的PMU脉冲单元那样，可以达到超快IV的测量，以及是否可以模拟multi-level的波形以及multi-waveforms |
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| 【问】ezcui |
专家老师更主观看好哪类非易失存储器（NVM）呢？ |
2011-12-08 11:14:00 |
| 【答】 |
这个问题暂时没有人回答呦！ |
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| 【问】wangfuchong |
不好意思，我看到的TI的铁电cpu的读写次数是100trillion次呀，那是多少呀 |
2011-12-08 11:13:00 |
| 【答】 |
对于大多数FeRAM而言，读写次数在一百亿次，您说的是TI的CPU，可能在硬件结构上会有区别 |
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| 【问】cui_lz |
这三种存贮器对使用环境的要求是什么？ |
2011-12-08 11:12:00 |
| 【答】 |
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| 【问】czmoo |
非易失存储器（NVM）的EMC性能如何？ |
2011-12-08 11:11:00 |
| 【答】 |
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| 【问】wdefu |
非常不错的技术，商用程度如何？ |
2011-12-08 11:09:00 |
| 【答】 |
这个问题暂时没有人回答呦！ |
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| 【问】markguo |
那和平常用的存储器在价格上有多大差距了，即在性价比上，有什么优势？ |
2011-12-08 11:08:00 |
| 【答】 |
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| 【问】skydiamond |
这种存储器是无铅的吗？ |
2011-12-08 11:08:00 |
| 【答】 |
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| 【问】ezcui |
哪类非易失存储器（NVM）相比而言更价廉物美一些呢？ |
2011-12-08 11:05:00 |
| 【答】 |
主要是看使用环境，预计读写次数而定。例如会不会有较强的电磁辐射，或是访问次数等限制。 |
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| 【问】wangfuchong |
TI的铁电怎样？我看到是trillion次？ |
2011-12-08 11:03:00 |
| 【答】 |
通常是百亿次左右。 |
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