非易失存储器-特性分析与测量技术
网友 |
问题 |
日期 |
【问】yuj210 |
这个测试是否比较适合芯片制造商做 |
2011-12-08 10:59:00 |
【答】 |
研究所做测试也同样适用 |
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【问】583199723 |
存储器接触的不多!不过听了讲解和专家的解惑后有了一定的了解!非常好!谢谢! |
2011-12-08 10:58:00 |
【答】 |
这个问题暂时没有人回答呦! |
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【问】djgyy |
哪种存储器更可靠 |
2011-12-08 10:58:00 |
【答】 |
目前是通过测量的方法,去确认新发展出的各种存储器的失效性,但FeRAM目前的读写寿命一般情况下是在100亿次左右 |
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【问】muyulchy |
你好 这同FLASH或ROM有什么区别 相比之下又有什么优点 |
2011-12-08 10:58:00 |
【答】 |
现在最常用的程序存储器是Flash,它使用十分方便而且越来越便宜。程序存储器必须是非易失性的并且要相对低廉,且比较容易改写。简单来说,对于特定的存储器例如FeRam,使用FeRAM会受访问次数的限制。 |
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【问】ezcui |
具有标准化规范吗? |
2011-12-08 10:57:00 |
【答】 |
测量具有标准化规范 |
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【问】redpingpang |
FeRAM的抗辐射性能怎样?在有粒子辐射的场合使用的话需要注意什么 |
2011-12-08 10:57:00 |
【答】 |
这个问题暂时没有人回答呦! |
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【问】123706153 |
FeRAM |
2011-12-08 10:55:00 |
【答】 |
这个问题暂时没有人回答呦! |
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【问】xqh518 |
请问:铁存设备于磁存设备相比,哪种性价比高一些 |
2011-12-08 10:55:00 |
【答】 |
这个问题暂时没有人回答呦! |
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【问】云帆123 |
铁电存储器的硬件结构包含哪些呢? |
2011-12-08 10:55:00 |
【答】 |
这个问题暂时没有人回答呦! |
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【问】flowerping2012 |
PRAM 的最大容量是多少? |
2011-12-08 10:54:00 |
【答】 |
这个问题暂时没有人回答呦! |
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【问】diyuhuihun |
那相关的测试方案有没有可提供的参考方案? |
2011-12-08 10:53:00 |
【答】 |
您可以参考4200KTEI 8.2版本或以上的自带测试项,进行实际操作。 |
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【问】licheng_8 |
如何判定在使用读写次数上的取舍 |
2011-12-08 10:53:00 |
【答】 |
这个问题暂时没有人回答呦! |
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【问】123706153 |
刚才解释的原理好像是读的原理,那写的原理呢? |
2011-12-08 10:51:00 |
【答】 |
您是说PRAM还是FeRAM? |
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【问】kason521 |
在设计中应该根据自己的情况选择NAND还是EEPROM,两者的成本还是差的很大的 |
2011-12-08 10:51:00 |
【答】 |
这个问题暂时没有人回答呦! |
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【问】zay1880 |
成本上会不会比FLASH高很多 |
2011-12-08 10:51:00 |
【答】 |
这个问题暂时没有人回答呦! |
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