非易失存储器-特性分析与测量技术
| 网友 |
问题 |
日期 |
| 【问】杜留群 |
RPM的阈值电压一般为多少，达到多少算失效？ |
2011-12-08 10:44:00 |
| 【答】 |
RPM是矩阵切换开关，是让直流，交流，以及脉冲信号可以不用通过硬件切换就可以信号端的设备 |
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| 【问】redpingpang |
能详细解释一下铁电技术么？不是很了解 |
2011-12-08 10:43:00 |
| 【答】 |
其原理可以简单表述如下：在存储单元电容上施加一已知电场，对电容进行充电，如果原来晶体的中心原子的位置与所施加的电场方向使中心原子要达到的位置相同，则中心原子不会移动；若相反，则中心原子将越过晶体中间层的高能阶到达另一位置，则在充电波形上就会出现一个尖峰，即产生原子移动的比没有产生移动的多了一个尖峰，把这个充电波形同参考位（确定且已知）的充电波形进行比较，便可以判断检测的存储单元中的内容是“1”或“0”。 |
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| 【问】云帆123 |
铁电材料有哪些呢？ |
2011-12-08 10:41:00 |
| 【答】 |
这个问题暂时没有人回答呦！ |
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| 【问】kjcom10 |
存贮器的生命周期为多长呢？ |
2011-12-08 10:40:00 |
| 【答】 |
这个问题暂时没有人回答呦！ |
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| 【问】wangfuchong |
请问能不能普及一点非易失性存储器的知识？本演讲的三种存储器的目前的市场应用状态和优缺点各是什么？谢谢 |
2011-12-08 10:40:00 |
| 【答】 |
这个问题暂时没有人回答呦！ |
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| 【问】bhtbear99 |
想问一下，读写次数是咋样换算的？ |
2011-12-08 10:39:00 |
| 【答】 |
这个问题暂时没有人回答呦！ |
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| 【问】caokang |
FLASH損壞一般的原因有哪些？ |
2011-12-08 10:39:00 |
| 【答】 |
这个问题暂时没有人回答呦！ |
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| 【问】wangzonggong |
这存储器能不能用于风能太阳能发电的储存器. |
2011-12-08 10:39:00 |
| 【答】 |
这个问题暂时没有人回答呦！ |
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| 【问】czmoo |
如何实现性能测试？ |
2011-12-08 10:38:00 |
| 【答】 |
这个问题暂时没有人回答呦！ |
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| 【问】wangfuchong |
是否可以通过比较通用的测量仪器搭建测量系统？贵公司的测量仪器的相比较的优点是什么？应用场景是哪里？ |
2011-12-08 10:38:00 |
| 【答】 |
这个问题暂时没有人回答呦！ |
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| 【问】zengzh |
现在这种存储器常用的都有哪些？ |
2011-12-08 10:38:00 |
| 【答】 |
这个问题暂时没有人回答呦！ |
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| 【问】bhtbear99 |
NVram咋测 |
2011-12-08 10:37:00 |
| 【答】 |
这个问题暂时没有人回答呦！ |
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| 【问】guokaibo666 |
铁电和flash存储的区别还是没搞懂 |
2011-12-08 10:37:00 |
| 【答】 |
这个问题暂时没有人回答呦！ |
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| 【问】loveeepw |
存储器共有多少种，分几类？ |
2011-12-08 10:37:00 |
| 【答】 |
这个问题暂时没有人回答呦！ |
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| 【问】guokaibo666 |
非易失存储器是否可以一键快速消除，原理呢，是高压冲击还是电平覆盖 |
2011-12-08 10:36:00 |
| 【答】 |
这个问题暂时没有人回答呦！ |
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