运用独家超级深N沟道技术的恩智浦MOS场效应管介绍
时间：2014年10月14日 10:00
简介：本次研讨会将介绍以下几方面：
1. 针对不断电系统的应用，MOS场效应管哪一些特性需要被关切。
2. 范例解释评估热插拔之瞬间所产生的大电流。
3. 恩智浦超级深N沟道技术的优胜之处。
4. 现有产品中封装对应于应用的建议。
演讲嘉宾
- 演讲嘉宾：
- 陈俊见
- 嘉宾职务：
- 应用工程师
- 嘉宾简介：
- 应用工程师，具有10年以上相关行业工作经验
奖项设置
- 奖品说明：
- 全程参加座谈并完整填写调查问卷的网友将有10人可得到EEPW提供的100元京东礼品券。
相关资料
关于公司
恩智浦半导体NXP Semiconductors N.V.（Nasdaq: NXPI）汇集英才，共同创造突破性技术，为更智慧安全的互联世界保驾护航。作为全球领先的嵌入式应用安全连接解决方案提供商，恩智浦不断寻求汽车、工业物联网、移动设备和通信基础设施市场的突破，同时不断推出解决方案，助力实现可持续发展的未来。恩智浦拥有超过60年的专业技术及经验，在全球30多个国家设有业务机构，员工达31,000人，2022年全年营业收入132.1亿美元。更多信息请登录：www.nxp.com.cn。