用4线法分析材料电阻率和测试结构
时间：2013年06月27日 10:00
简介： 电阻率是材料的基本特性，也属于常规电气测量。但是，一些应用要求采用4线方法。而且，所用的测量方法取决于材料电阻大小、样品厚度和样品形状与大小等各种因素。本期在线研讨会详细说明了能获得最佳测量结果的各种4线方法和测量技术。 参加人员将学习4线电阻率测量基础，包括体电阻率和表面电阻。还将介绍导体电阻率的测量、半导体晶圆的四点共线探测、范德堡测试结构和程序、小功率测量，纳米线电阻率和本征半导体材料测量...
了解TFT LCD和OLED显示器的直流特性
时间：2013年05月09日 10:00
简介： 本期在线研讨会概述了测量现代TFT LCD和OLED显示器直流特性所需的测试方法和测量设备。我们将讨论这些器件的独特设计带来的专有测量挑战以及如何克服这些挑战。我们还将对处于现代显示器核心位置的薄膜晶体管关键性能参数，例如关断泄露、亚域摇摆和其它参数，介绍相关测量方法。 研讨会目标 通过参加本期研讨会，您将了解以下内容： ·TFT LCD和OLED的独特测量要求 ·进行关键直流电气测量...
了解电性量测基本原理
时间：2013年03月26日 10:00
简介： 许多人需要进行电性量测，但未必是该领域的专家。无数的应用都需要电流、电压、电阻和温度等量测，甚至时常需实现不容易达到的量测品质水准。无论是选择测试设备、设计测试系统，或只是想使用现有设备进行测量，您需要了解一些基本的检查要项，以确保您的最终量测结果能符合要求。...
高功率半导体器件测试的要点、技巧和陷阱
时间：2012年08月15日 10:00
简介： 虽然功率半导体器件测试曾被认为是一个专业领域，但现在许多研究人员、大学和公司正在对此类器件进行测量。工程师和科学家在从小信号器件测试转移到功率半导体器件测试时将面临新的挑战。本期研讨会将介绍一些常见的挑战并回顾避开这些挑战的方法。 参加研讨会的网友将会了解以下内容： 1.如何检测并抑制器件振荡； 2.如何配置仪器并实现100A高脉冲电流的准确测量； 3.如何利用...
高功率半导体器件测试的基础
时间：2012年06月27日 10:00
简介： 近年来，为满足更高效率、更高功率最终产品的要求，对开发功率半导体器件的兴趣骤增。为了提高效率，研究人员把精力集中在改善某些关键器件参数，而且准确测试这些参数才能不断改进器件设计。本期研讨会简要概述了功率器件并考虑了在这些器件研发增长背后的动力，这些器件参数如何影响最终产品的效率，以及应该做什么才能满足功率器件设计人员和测试工程师的需要。...
超快I-V半导体特性分析的要点、技巧和陷阱
时间：2012年05月29日 10:00
简介： 本期研讨会旨在帮助实验室工程师实现、排除故障和验证脉冲I-V、瞬态I-V和通用超快I-V测量系统。研讨会还介绍了做好测量的要点。探讨的话题包括系统设置、测量极限的典型值和从真实器件得出的测量结果。...
什么是源测量单元（SMU）仪器，怎样为您的应用选择合适的源测量单元（SMU）仪器 ?
时间：2012年03月27日 10:00
简介： 源测量单元（SMU）可以提高生产效率，完成更全面的特性测试，并提高测试系统整体性能。然而，为了真正优化测试，在为应用选择合适的源测量单元（SMU）时，必须综合考虑“说明书中的性能指标”。 此次在线研讨会将介绍源测量单元（SMU）的工作原理，说明选择源测量单元（SMU）仪器时需要考虑的关键因素及性能，以及在实际应用中比较各种SMU仪器的性能。 本次研讨会还将介绍吉时利公司最新发布的面向高...
非易失存储器-特性分析与测量技术
时间：2011年12月08日 10:00
简介： 寻求替代FG NAND和快速开发非易失存储器（NVM）的替代技术，例如正在进行的相变存储器（PCM/PRAM）、铁电存储器（FeRAM）、磁阻存储器（MRAM）和阻性存储器（ReRAM）。先进的特性分析能力对于任何新技术的成功至关重要。尽管存储器技术种类很多，但是这些技术都需要进行同一类型的特性分析，例如瞬态开关性能、耐力，并需要动态电流测量。 非易失存储器-特性分析和测量技术将探讨和例举FLA...