运用独家超级深N沟道技术的恩智浦MOS场效应管介绍
时间：2014年10月14日 10:00
简介：本次研讨会将介绍以下几方面：
1. 针对不断电系统的应用，MOS场效应管哪一些特性需要被关切。
2. 范例解释评估热插拔之瞬间所产生的大电流。
3. 恩智浦超级深N沟道技术的优胜之处。
4. 现有产品中封装对应于应用的建议。
演讲嘉宾
- 演讲嘉宾：
- 陈俊见
- 嘉宾职务：
- 应用工程师
- 嘉宾简介：
- 应用工程师，具有10年以上相关行业工作经验
奖项设置
- 奖品说明：
- 全程参加座谈并完整填写调查问卷的网友将有10人可得到EEPW提供的100元京东礼品券。
相关资料
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- 基于 NXP RT118x 在关节驱动、灵巧手、总线通信（EtherCAT/TSN）等应用
- 基于 NXP RT118x 的 11 自由度灵巧手方案（电机控制、压力传感）
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关于公司
恩智浦半导体NXP Semiconductors N.V.（纳斯达克股票代码：NXPI）是汽车、工业物联网、移动设备和通信基础设施市场值得信赖的合作伙伴，致力于提供创新解决方案。恩智浦汇集英才，结合前沿技术与开拓型人才，开发系统解决方案，为更智慧安全的互联世界保驾护航。恩智浦在全球30多个国家/地区设有业务机构，2024年全年营业收入达126.1亿美元。
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