高功率半导体器件测试的要点、技巧和陷阱
时间：2012年08月15日 10:00
简介： 虽然功率半导体器件测试曾被认为是一个专业领域，但现在许多研究人员、大学和公司正在对此类器件进行测量。工程师和科学家在从小信号器件测试转移到功率半导体器件测试时将面临新的挑战。本期研讨会将介绍一些常见的挑战并回顾避开这些挑战的方法。 参加研讨会的网友将会了解以下内容： 1.如何检测并抑制器件振荡； 2.如何配置仪器并实现100A高脉冲电流的准确测量； 3.如何利用...
高功率半导体器件测试的基础
时间：2012年06月27日 10:00
简介： 近年来，为满足更高效率、更高功率最终产品的要求，对开发功率半导体器件的兴趣骤增。为了提高效率，研究人员把精力集中在改善某些关键器件参数，而且准确测试这些参数才能不断改进器件设计。本期研讨会简要概述了功率器件并考虑了在这些器件研发增长背后的动力，这些器件参数如何影响最终产品的效率，以及应该做什么才能满足功率器件设计人员和测试工程师的需要。...
超快I-V半导体特性分析的要点、技巧和陷阱
时间：2012年05月29日 10:00
简介： 本期研讨会旨在帮助实验室工程师实现、排除故障和验证脉冲I-V、瞬态I-V和通用超快I-V测量系统。研讨会还介绍了做好测量的要点。探讨的话题包括系统设置、测量极限的典型值和从真实器件得出的测量结果。...
什么是源测量单元（SMU）仪器，怎样为您的应用选择合适的源测量单元（SMU）仪器 ?
时间：2012年03月27日 10:00
简介： 源测量单元（SMU）可以提高生产效率，完成更全面的特性测试，并提高测试系统整体性能。然而，为了真正优化测试，在为应用选择合适的源测量单元（SMU）时，必须综合考虑“说明书中的性能指标”。 此次在线研讨会将介绍源测量单元（SMU）的工作原理，说明选择源测量单元（SMU）仪器时需要考虑的关键因素及性能，以及在实际应用中比较各种SMU仪器的性能。 本次研讨会还将介绍吉时利公司最新发布的面向高...
非易失存储器-特性分析与测量技术
时间：2011年12月08日 10:00
简介： 寻求替代FG NAND和快速开发非易失存储器（NVM）的替代技术，例如正在进行的相变存储器（PCM/PRAM）、铁电存储器（FeRAM）、磁阻存储器（MRAM）和阻性存储器（ReRAM）。先进的特性分析能力对于任何新技术的成功至关重要。尽管存储器技术种类很多，但是这些技术都需要进行同一类型的特性分析，例如瞬态开关性能、耐力，并需要动态电流测量。 非易失存储器-特性分析和测量技术将探讨和例举FLA...
最优低电流和高电阻测量技术
时间：2011年11月22日 10:00
简介： 许多种应用要求进行低电流（1GΩ）测量。例如，低电流测量用于确定FET的栅极漏电流，测试灵敏的纳米电子器件以及测量电容器的漏电流；高电阻测量用于确定绝缘体的电阻率，多芯电缆和连接器及印制电路板等器件的绝缘电阻。在测量高阻抗时，采用一些适当的技术避免误差非常重要。此研讨会详细介绍了低电流和高电阻测量过程中获得理想测量结果的一些方法和技术。 参加研讨会的人员将了解到高阻抗测量的基本原理以及如何进行高...
电性参数测试的基本知识
时间：2011年10月25日 10:00
简介： 更好的理解电性参数测试的基本知识,包括在测试电压,电流,温度,电阻等电参数的时候,怎样更准确的测试我们所需要的参数,理解准确度,灵敏度,分辨率等常见的测试仪器的规格指标,以便用户在构建自己的测试系统过程中,如何更好的利用现有的仪器和选择对自己来说性价比最好的测试仪器设备。...
高性价比、高效开关测试系统技术探讨
时间：2011年09月08日 10:00
简介： 保持测试系统具有高性价比和高效率是每个测试工程师追求的目标。当系统中包括不止一个待测器件(DUT)或测试点时，很好的切换待测体连接到源端或测试仪器端,对于整体的测试系统是非常重要的。设计满足系统需求的开关需要了解待测器件(DUT)、待测器件(DUT)数量、信号大小、所需速度以及传输信号的设备。本研讨会将介绍开关基本原理、开关种类（继电器、晶体管等)以及开关系统种类(多路复用器、开关阵列等)。...